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網站首頁 > 產品中心 > 東芯半導體(Dosilicon)

PPI NAND Flash

東芯半導體股份有限公司成立于2014年,總部位于上海,在深圳、南京、、中國香港、韓國均設有分公司或子公司,矢志成為前列的存儲芯片設計公司,服務全球客戶。作為Fabless芯片企業,東芯半導體擁有自主的知識產權,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設計、生產和銷售,是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。
PPI NAND Flash

PPI NAND Flash

兼容傳統的并行接口標準,高可靠性。可提供容量從1Gb到8Gb, 3.3V/1.8V兩種電壓,多種封裝方式的產品,以滿足不同應用場景。在網絡通信,智能音箱,安防監控,機頂盒等領域中廣泛應用。


規格:Specification:
電壓/Voltage1.8V,3.3V
溫度/Temperature-40℃—85℃/105℃
容量/Density1Gb / 2Gb / 4Gb/ 8Gb
封裝/PackageTSOP48,VFBGA63,
VFBGA67
速度/Speed20ns/25ns,30ns/45ns
線寬/Width*8/ *16


typePart NumberDensityVoltageSpeed(MHz/CLK)Temp. RangePKG TypeDatasheet

PPI NAND

FMND1G08S3D-IA

1Gb

1.8V

45ns

-40℃~85℃

TSOP 48(12*20mm)

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FMND1G08S3D-ID

VFBGA 63(9*11mm)

FMND1G08S3D-IF

VFBGA 67(6.5*8mm)

FMND1G08U3D-IA

3.3V

25ns

TSOP 48(12*20mm)

FMND1G08U3D-ID

VFBGA 63(9*11mm)

FMND1G08U3D-IF

VFBGA 67(6.5*8mm)

FMND2G08S3D-IA

2Gb

1.8V

45ns

TSOP 48(12*20mm)

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FMND2G08S3D-ID

VFBGA 63(9*11mm)

FMND2G08S3D-IF

VFBGA 67(6.5*8mm)

DSND2G08S3E-IA

TSOP 48(12*20mm)

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DSND2G08S3E-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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3.3V

25ns

TSOP 48(12*20mm)

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FMND2G08U3D-ID

VFBGA 63(9*11mm)

FMND2G08U3D-IF

VFBGA 67(6.5*8mm)

DSND2G08U3E-IA

TSOP 48(12*20mm)

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FMND4G08S3B-ID

4Gb

1.8V

30ns

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08S3B-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08S3C-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08S3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08S3F-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND4G08S3C-ID

45ns

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND4G08S3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08U3B-ID

3.3V

20ns

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08U3B-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08U3C-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08U3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

DSND4G08U3C-ID

25ns

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND4G08U3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

DSND8G08S3M-ID

8Gb

1.8V

30ns

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND8G08S3N-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND8G08S3F-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND8G08U3N-IA

3.3V

20ns

TSOP 48(12*20mm)

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FMND1G08U3D-JA

1Gb

3.3V

25ns

-40℃~105℃

TSOP 48(12*20mm)

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FMND4G08S3B-A2D

4Gb

1.8V

45ns

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08U3F-A2D

3.3V

25ns

VFBGA 63(9*11mm)

DSND8G08S3M-JD

8Gb

1.8V

45ns

VFBGA 63(9*11mm)

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