IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱為絕緣柵雙極型晶體管。是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（金屬氧化物半導體場效應管）組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件，其具有自關斷的特征。簡單來講，它是一個非通即斷的開關裝置，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時可以看做開路。

IGBT融合了BJT和MOSFET這兩種器件的優點，IGBT既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，是電力電子領域較為理想的開關器件。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。

IGBT的工作原理如上圖所示，若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；

若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V時，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT內部有三個端子，分別為集電極、發射極和柵極，端子上都附有金屬層。IGBT結構是一個四層半導體器件。四層器件是通過組合PNP和NPN晶體管來實現的，它們構成了PNPN排列。

IGBT是由MOSFET和GTR技術結合而成的復合型開關器件，是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構成的，性能上也是結合了MOSFET和雙極型功率晶體管的優點。N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極(即發射極E)；P+區稱為漏區，器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成)稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector)，它是IGBT特有的功能區，向漏極注入空穴，進行電導調制，以降低器件的通態壓降。附于漏注入區上的電極稱為漏極(即集電極C)。

一、IGBT在應用層面通常根據電壓等級劃分

〡、低壓IGBT：

IGBT模塊在電動汽車中發揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件。針對車規級IGBT模塊的特殊要求，IGBT技術正朝著小型化、低功耗、耐高溫、高安全和智能化的方向發展。IGBT模塊占電動汽車成本將近10％，占充電樁成本約20％。